IGBT 全称绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是复合型大功率电力半导体开关,被称为电力电子设备的功率心脏、智能电控的“超级电闸”。
它融合两种器件优势:
1. MOS管(场效应管):电压驱动、驱动功耗极小、易控制;
2. BJT双极三极管:耐高压、承载大电流、导通损耗低。
三端结构:栅极G(控制端)、集电极C、发射极E。
IGBT结构分层差异极大:硅芯片(硬脆)、Al金属层、SnAg焊料(极软)、AlN/Al₂O₃陶瓷DBC、厚铜覆层、基板,软硬/脆硬交替,制样核心难点:层间浮凸、陶瓷崩边、焊料拖拽、芯片碎裂、抛光发黑。
制备方法:
1、切割:超薄金刚石树脂切割片,软焊层+陶瓷复合结构仅金刚石片可兼顾软硬材料。
2、镶嵌:IGBT芯片、焊锡、DBC陶瓷受热会分层、焊料流动变形,全程只用真空环氧树脂冷镶嵌。
3、磨抛:表面较硬,需选择金刚石磨盘,快速去除陶瓷层,大幅提升效率。
